活性炭载阴离子合成碳化硅
碳化硅是一种共价结合的碳化物陶瓷，具有高硬度和耐磨性，耐温超过1600℃。由于这些特性，SiC对采矿、航空航天和高温电子应用等行业很有作用。然而，由于制造这种材料需要大量能量，因此正在研究其他更节能的方法。在这项研究中，碳化硅是由从溶液中吸附到活性炭上的硅酸盐阴离子合成的，并在保护气体气氛下渗碳。
碳化硅
碳化硅因其广泛的应用范围而成为许多研究和表征尝试的主题。硅和碳的尺寸相似，碳化硅的结构导致每个硅和碳原子被其他类型的四个原子包围。结果，碳化硅分子可以在单晶面上形成薄片。当另一个平面堆叠在前一个平面的顶部时，就会发生偏移，四面体形式的分子会发生偏移。由于这种变化而导致的分子排列称为多晶型，而一维等价物称为多型。当发生不同的分子位移时，会出现不同的碳化硅多型。当材料平面的一部分与同一平面上的其他分子未对齐时，材料中就会出现缺陷 。然而，当材料在晶格内的不同配置下稳定时，就会发生晶体多型。
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